Cible de pulvérisation en silicium monocristallin pour machine de pulvérisation

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Type: Cible métallique
Certification: TUV, ISO, CE
Membre Diamant Depuis 2018

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Info de Base

N° de Modèle.
XK-Si
pureté
99.999%
taille
personnalisé
ma
1 pc
échantillon gratuit
accepter
emballage
boîtier en bois
certificat
fournir pour chaque cible
transport
par air
livraison
5-10 jours
matériau
silicium
Paquet de Transport
étanche à l′aspiration
Spécifications
personnalisé
Marque Déposée
non
Origine
Chine
Code SH
8486909900
Capacité de Production
1000 pièces/an

Description de Produit

          Matériaux de revêtement en couche mince cible de  pulvérisation de silicium/si  
 

Cible de pulvérisation de silicium/si

 Cible de pulvérisation de silicium, en tant que matériaux fonctionnels très importants, elle est principalement utilisée pour déposer SiO2, Si3N4 et d'autres couches déélectriques par un processus de pulvérisation magnétique. Ces couches minces sont caractérisées par une excellente dureté, des propriétés optiques, diélectriques, une résistance à l'usure et à la corrosion, qui sont largement appliquées au domaine du verre conducteur transparent LCD, du verre de construction À FAIBLE E et de la micro-électronique.

Fonctionnalités

Type : polycristallin ou monocristallin

Pureté: 5N, 6N

Forme disponible : plane, rotative

Méthode de croissance: Czochralski (CZ)

Densité : 2,33 g/cm3

Type de conductivité : type P (dopé au bore) et  type N (dopé au phosphore)

Dimensions :

longueur : 300 mm max

largeur : 150 mm max

diamètre : 300 mm max

épaisseur : 3 mm

tolérance : ±0,1 mm

Résistance spécifique:0.005-0.02 ohm.cm

                             1-10 ohms. cm

                              10 ohms cm min  

Planitude (TIR) : < 1,2 μm

Planitude partielle (STIR) : <0,3 μm

Warp : <30 μm  

Sputter/Sputtering Target Mono Crystal Silicon for Sputtering MachineSputter/Sputtering Target Mono Crystal Silicon for Sputtering Machine
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