Oscillateur à quartz Tg5032sfn TCXO / VC-TCXO haute stabilité 10 MHz Oscillateur à quartz 40 V à 3.3 MHz

• Certification: CE
• Type: Tcxo
• Storage Temp / Humidity: -40 à 85ºc
• description: personnaliser
• garantie: 1 an
• applications: Crystal Oscillation
• N° de Modèle.: TG5032SFN
• Operation Temp / Humidity: -40 à 85ºc
• nom du produit: oscillateur à quartz
• dimensions (l x p x h): 5.00mm X 3.20mm
• sortie: 3,3 v.
• poids net/brut: personnalisé
• Paquet de Transport: Carton Packing
• Marque Déposée: EPSON
• Origine: China

Description de Produit

Description du produit

 

Spécifications

Elément symbole TG5032CFN (sortie CMOS) TG5032SFN (onde sinusoïdale tronquée) Conditions / Remarques TCXO VC-TCXO TCXO VC-TCXO fréquence de sortie
Plage de 10 MHz à 40 MHz 10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz tension d'alimentation de fréquence standard
CC C : 3.3 V ± 5 % (plage de tension d'alimentation : 2.375 V à 3.63 V) température de stockage T_stg -40 ºC à +90 ºC stockage en un seul produit
Température de fonctionnement T_use G: -40 ºC à +85 ºC Plage de température standard a) tolérance de fréquence f_tol ±1.0 × 10-6 Max. Après le reflux,
+25 ºC b) caractéristiques de fréquence/température FO-TC A: ±0.1 × 10-6 Max. / -40 ºC à +85 ºC H: ±0.25 × 10-6 Max. / -40 ºC à +85
ºC B : ±0.28 × 10-6 Max. / -40 ºC à +85 ºC référence à (fmax + fmin) / 2 c) coefficient de fréquence/charge pour la charge ±0.1 × 10-6 Max.
Charge ± 10 % d) coefficient de fréquence/tension FO-VCC ±0.1 × 10-6 Max. VCC ± 5 % e) vieillissement de la fréquence f_age ±0.5 × 10-6 Max. +25 °C,
Première année ±3.0 × 10-6 Max. +25 °C, stabilité Holdover de 20 ans (température constante) - ±0.01 × 10-6 Max. ( +25 °C , 24 heures)
Après 10 jours de fonctionnement continu. ±0.04 × 10-6 max. ( +25 °C , 24 heures) après 48 heures de fonctionnement continu. Errer
Génération (MTIE, TDEV) - - conforme à GR-1244CORE , ITU-T G.8262 précision de fonctionnement libre - ±4.6 × 10-6 Max. Cela inclut l'élément a),
b), c), d) et e) consommation de courant ICC 5.0 mA max. 5.0 mA max. 10 MHz ≤ FO ≤ 26 MHz 6.0 mA max. 26 MHz < FO ≤ 40 MHz entrée
Résistance Rin - 100 kΩ min. - 100 kΩ min. VC- GND (DC) Plage de contrôle de fréquence f_CONT - ±5 ×10-6 à ±10 ×10-6 - ±5 ×10-6 à ±10
×10-6 D :VC = 1.5 V ± 1.0 V à VCC = 3.3 V E :VC = 1.65 V ± 1.0 V à VCC = 3.3 V polarité de changement de fréquence - polarité positive -
Polarité positive Symétrie SYM 45 % à 55 % - 50 % niveau VCC, L_CMOS 15 pF tension de sortie VOH 90 % VCC min. - vol 10 % VCC Max.
- niveau de sortie Vpp - 0.8 V min. Temps de montée crête à crête / temps de descente tr/tf 8.0 ns max. - 10 % VCC à 90 % VCC, charge : 15 pF
Temps de démarrage t_str 5.0 ms Max. t = 0 à 90 % VCC condition de charge de sortie charge 15 pF 10 kΩ // 10 pF