Type conducteur: | Bipolar Integrated Circuit |
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Intégration: | LSI |
Techniques: | Semiconductor IC |
forme: | 8-soic |
Paquet de Transport: | T/R |
Spécifications: | 4.90x3.91x1.75mm |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Physique | |
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Cas/emballage | SOIC |
Placage de contact | Or |
Montage | Montage en surface |
Nombre de broches | 8 |
Technique | |
Plage de température ambiante élevée | 70 °C. |
Bande passante | 1 MHz |
Taux de rejet en mode commun | 97 dB |
Tension d'alimentation double | 9 V. |
Gain de bande passante | 1 MHz |
Courant de polarisation d'entrée | -15 NA |
Tension de décalage d'entrée (Vos) | 60 µV |
Tension d'alimentation double max | 22 V. |
Température de jonction max. (TJ) | 150 °C. |
Température de fonctionnement maximale | 70 °C. |
Tension d'alimentation max | 30 V. |
Tension d'alimentation double min | 2 V. |
Température de fonctionnement min | -40 °C. |
Tension d'alimentation min | 4 V. |
Courant d'alimentation nominal | 350 µA |
Nombre d'amplificateurs | 2 |
Nombre de canaux | 2 |
Nombre de circuits | 2 |
Nombre d'éléments | 2 |
Courant d'alimentation de fonctionnement | 350 µA |
Tension d'alimentation de fonctionnement | 22 V. |
Courant de sortie par canal | 25 mA |
Emballage | Ruban et bobine |
Annexe B | 8542330000 |
Vitesse de balayage | 0.4 V/µs |
Gain de tension | 120 dB |
Dimensions | |
Hauteur | 1.75 mm |
Longueur | 4.9 mm |
Epaisseur | 1.58 mm |
Largeur | 3.91 mm |
Conformité | |
Sans plomb | Sans plomb |
Durcissement du rayonnement | Non |
ATTEINDRE SVHC | Pas de SVHC |
RoHS | Conforme |
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