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RAM DDR3 4 Go 1600MHz PC3-12800 1,5V ordinateur DIMM de bureau Mémoire RAM 240 broches
| Nom de marque | RAM DDR |
| Type d'interface | DDR,DDR2,DDR3,DDR4,DDR5 |
| Vitesse de la mémoire | 800 mhz/1 333 mhz/1 600 mhz/2 400 mhz/2 2666 mhz/3 200 mhz |
| Tension | 1,2 V/1,35 V/1,5 V/1,8 V. |
| Puces de mémoire | Samsung, Micron, Intel, etc |
| Application | Ordinateur de bureau/portable |
| Capacité RAM | 2 GO/4 GO/8 GO/16 GO/32 GO |
| Conditions d'expédition | DHL, UPS, TNT, EMS, FedEx ou par mer |
| Délai | Au-dessous de 1K: 3-5 jours, au-dessus de 1K-5K confirmer avec nous |
| Emballage normal | Boîte blister ou boîte rigide 50 pièces/boîte |
| Dimensions | 133*31*1.5mm |
| Poids | 12 g/pcs |
| Performances | |
| Lecture soutenue : | Jusqu'à 520 Mo/s. |
| Écriture soutenue : | Jusqu'à 400 Mo/s. |
| Lecture aléatoire de 4 Ko : | Jusqu' à 7400 IOPS |
| 4 Ko en écriture aléatoire : | Jusqu' à 6300 IOPS |
| Temps d'accès moyen : | 0,1 s. |
| Caractéristiques électriques | |
| Température de fonctionnement : | 0 À 85 °C. |
| Tension de fonctionnement : | 1,2 V/1,35 V/1,5 V/1,8 V. |
La mémoire DDR3 (Double Data Rate 3) est la troisième génération de technologie SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory), offrant plusieurs caractéristiques clés :
Bande passante et vitesse accrues : la DDR3 offre des taux de transfert de données plus rapides que la DDR2. Il fonctionne généralement à des vitesses comprises entre 800 et 2133 Mt/s. Cette amélioration de la vitesse se traduit par de meilleures performances pour les applications nécessitant une bande passante mémoire élevée.
Consommation électrique inférieure : la DDR3 fonctionne à une tension inférieure (norme 1,5 V, versions basse tension à 1,35 V et 1,25 V) par rapport à la DDR2 à 1,8 V. Cette réduction de tension réduit la consommation d'énergie et la production de chaleur, ce qui la rend plus efficace et plus adaptée aux applications mobiles et économes en énergie.
Densité supérieure : la mémoire DDR3 prend en charge des capacités de mémoire plus importantes par module, avec des capacités communes allant de 1 Go à 16 Go par module DIMM. Cela permet aux systèmes de gérer des charges de travail plus importantes et des applications plus exigeantes.
Latence améliorée : alors que la DDR3 présente une latence légèrement supérieure à la DDR2, la vitesse accrue compense ce phénomène, ce qui se traduit par des performances globales supérieures. La latence cas (CL) type pour DDR3 varie de 9 à 15.
Mémoire tampon de préchargement 8 bits : DDR3 utilise une architecture de préchargement 8n, ce qui signifie qu'elle peut transférer 8 bits de données par cycle d'horloge et par broche de données. Cette amélioration par rapport à la lecture anticipée 4 bits de DDR2 contribue à des taux de transfert de données plus élevés et à des améliorations globales des performances.
Intégrité du signal améliorée : la DDR3 intègre une topologie de type « vol-by » pour les signaux de commande et d'adresse, ce qui contribue à améliorer l'intégrité et la temporisation du signal. Cette conception réduit la complexité du routage des traces de la carte mère et améliore la stabilité globale du système.
Rétrocompatibilité : la DDR3 n'est pas rétrocompatible avec la DDR2 en raison de différentes configurations de broches, tensions de signalisation et autres différences électriques. Toutefois, ses améliorations de conception offrent des avantages significatifs en termes de performances et d'efficacité.
Voici les caractéristiques et paramètres clés de la mémoire DDR3 (Double Data Rate 3) :
Taux de transfert de données :
Capacité de la mémoire :
Tension :
Longueur de la rafale :
Latence :
Nombre de modules et de broches :
Bande passante :
Consommation électrique :
Correction d'erreur :
Fréquence de rafraîchissement :
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