structure: | ci rigide multicouche |
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diélectrique: | fr-4 |
propriétés ignifuges: | V0 |
technologie de traitement: | feuille électrolytique |
processus de production: | procédé semi-additif |
matériau de base: | cuivre |
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Attribut de produit | Valeur d'attribut | Sélectionnez attribut |
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Fabricant : | STMicroelectronics | |
Catégorie de produit : | MOSFET | |
RoHS : | Détails | |
Technologie : | Si | |
Type de montage : | Trou traversant | |
Emballage/boîte : | TO-220-3 | |
Polarité du transistor : | Canal N | |
Nombre de canaux : | 1 canal | |
VDS - tension de rupture de la source de vidange : | 600 V. | |
ID - courant de vidange continu : | 4 A. | |
RDS on - résistance de la source de drainage : | 2 ohms | |
VGS - tension de la source de la porte : | - 30 V, + 30 V. | |
VGS TH - tension seuil de la source de porte : | 3 V. | |
QG - charge de grille : | 26 NF | |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C. | |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 C. | |
PD - dissipation de puissance : | 70 W | |
Mode canal : | Amélioration | |
Nom commercial : | SuperMESH | |
Série : | STP4NK60ZFP | |
Emballage : | Tube | |
Marque : | STMicroelectronics | |
Configuration : | Simple | |
Temps de chute : | 16.5 ns | |
Hauteur : | 9.3 mm | |
Longueur : | 10.4 mm | |
Type de produit : | MOSFET | |
Temps de montée : | 9.5 ns | |
Quantité de l'emballage d'usine : | 1000 | |
Sous-catégorie : | MOSFET | |
Type de transistor : | 1 canal N | |
Délai de mise hors tension type : | 29 ns | |
Délai de mise sous tension type : | 12 ns |
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