Type: | Semiconductor Capteurs de pression jauges de contrainte |
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Composant: | Semiconducteur de type |
Pour: | Transmetteur de pression silicium diffuse |
Type de sortie Signal: | Type de analogique |
Procédé de production: | Bobinées normale |
Matériel: | Acier inoxydable |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Micro transmetteur de pression différentielle détection de la pression du vent pression de l'air dans l'industrie Capteurs
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Support d'application
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Gaz non conducteur ou corrosif faible
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Plage de pression
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-10pA-100Pa -100kPa-+100kPa
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Précision
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±0.2%FS, ±0.5%FS, ±1%FS
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Stabilité
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0.8 % FS/an
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Pression statique max
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70 kPa
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Surcharge max
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250 % FS
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Sortie
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4 mA
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Matériau du boîtier
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Aluminium 14
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Connecteur de pression
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Tête M8*1 femelle ou Φ8 de type Pagoda
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Alimentation
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Sans explosion : 10.5 à 45 VCC
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Exia : 10.5 à 30 V c.c.
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Température ambiante
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-40~85 ºC
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Température de compensation
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-10~70 ºC
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Température de fonctionnement
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-10~70 ºC
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