100A 1200V Module IGBT à demi-pont

• Personnalisation: Disponible
• Application: soudage, up, inverseur à trois étages
• Numéro de lot: 2023
• N° de Modèle.: DGA100H120M2T
• Technologie de fabrication: conception de la technologie de butée de tranchée et de champ
• Matériel: Semiconducteur composé
• Modèle: dga100h100m2t
• Paquet: 34mm
• Type: Semi-conducteur de type N
• tension: 1200V
• actuel: 100A
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: boîte
• Marque Déposée: wxdh
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 pièces/an

Description de Produit

 
1 Description
Ces transistors bipolaires à grille isolée ont utilisé des tranchées et
Conception de la technologie Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente commutation
vitesse, faible charge de porte. Conforme à la norme RoHS.

Fonctionnalités

Technologie de tranchée FS, température positive
coefficient

Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 1,9 V.
@ IC =100A et TJ = 25 °C.

Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

Applications

Soudage

UPS

Inverseur à trois niveaux

Convertisseurs c.a./c.c.

Amplificateur de servocommande c.a./c.c.

 

Type	VCE	CI	VCEsat, TJ=25 ºC	Tjop	Package
DGA100H120M2T	1 200 V.	100 a (TJ=100 ºC)	1,9 V (type)	175ºC	34MM

Caractéristiques électriques
5,1 valeurs nominales maximales en Absolute (IGBT) (TC=25ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension collecteur-émetteur			VCE	1200		V
Tension porte-émetteur			VGE	±30		V
Courant collecteur c.c.			IC  TJ=25 ºC	200		A
			TJ=100 ºC	100		A
Courant collecteur pulsé n° 1			ICM	800		A

 

5.2 valeurs nominales maximales absolues (diode) (TC=25 ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension inverse répétitive de crête			VRM	1200		V
Tension de blocage c.c.			VR	1200		V
Courant de marche avant rectifié moyen			IF (AV)	100		A
Courant de crête répétitif			IFRM	200		A
Courant de pointe non répétitif (simple) /tp=1,0 ms.			IFSM	600		A

5.53module IGBT

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Plage de température de jonction			Tjmax	-45 à 175		ºC
Température de jonction de fonctionnement			Tjop	-45 à 150		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-45 à 150		ºC
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t=1min			VISO	4000		A

5.4caractéristiques thermiques (module IGBT)

PARAMÈTRE						SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Résistance thermique jonction au boîtier						IGBT RthJC	0.28		ºC/W
						Diode RthJC	0.40		ºC/W