• 100A 68V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance DH100n06f-220
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100A 68V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance DH100n06f-220

technologie de fabrication: périphérique discret
type: semi-conducteur de type n.
matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
package: to-220f
application: Power Switching, Converters, Full Bridge Control
modèle: Dh100n06f

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Info de Base.

N° de Modèle.
DH100N06F
numéro de lot
2021
marque
Wxdh
Paquet de Transport
by Sea, Packing
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000

Description de Produit

100A 68V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh100n06f to-220100A 68V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh100n06f to-220100A 68V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh100n06f to-220100A 68V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh100n06f to-220
 
Description
Ces N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance utilisé la technologie avancée de la tranchée de la conception, à condition d'excellents
Rdson et faible charge de grille. Ce qui concorde avec l'RoHS standard.
 
Fonctionnalités
Faible résistance
Faible charge de grille
Commutation rapide
De faibles capacités de transfert de marche arrière
100% test de l'énergie d'avalanche d'impulsion unique
100% test ΔVDS
Les applications
Les applications de commutation de puissance
Convertisseurs DC-DC
Commande du pont complet
 
Le paramètre Symbole Cote Unité
DH100N06/DHI100N06/DHE100N06/DHB100N06/DHD100N06 Fdh100N06  
Drian-à-source de tension VDSS 68 V
Porte-à-source de tension VGSS ±20 V
Courant de vidange en continu ID TC=25ºC 100 Un
TC=100ºC 70 Un
Courant pulsé de vidange Le module IDM 400 Un
L'énergie d'avalanche d'Impulsion unique La fonction EAS 600 MJ
La dissipation de puissance Ta=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 145 35 W
Tension d'isolation VISO / 2500 V
Plage de température de jonction Tj -55~175 ºC
Plage de température de stockage Tstg -55~175 ºC
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque RoHS Paquet Quantité
DH100N06 D-220C DH100N06 Pb-libre Le tube 1000/boîte
Fdh100N06 D'-220F Fdh100N06 Pb-libre Le tube 1000/boîte
DHB100N06 D-251 DHB100N06 Pb-libre Le tube 3000/boîte
Le DHD100N06 D-252 Le DHD100N06 Pb-libre Tape & rabatteur 2500/boîte
DHI100N06 D-262 DHI100N06 Pb-libre Le tube 1000/boîte
DHE100N06 D-263 DHE100N06 Pb-libre Tape & rabatteur 800/boîte
100A 68V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh100n06f to-220

 

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07