tension: | 150 v. |
---|---|
actuel: | 10 a. |
technologie de fabrication: | périphérique discret |
type: | semi-conducteur de type n. |
matériau: | silicium |
package: | to-252b |
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Fonctionnalités |
Haute température de jonction capabiliy |
Faible courant de fuite |
Faible résistance thermique |
Fonctionnement à haute fréquence |
Spécification d'avalanche |
Les applications |
Alimentation de commutation |
Circuits de commutation de puissance |
A usage général |
Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité | ||
Pic de tension inverse répétitif | VRRM | 150 | V | ||
Tension inverse RMS | VR(RMS) | 120 | V | ||
DC Tension de blocage | VR | 150 | V | ||
La moyenne corrigée courant de marche avant(simple) | TC=120ºC |
Si(AV) | 5 | Un | |
La moyenne corrigée(double) Courant de marche avant | 10 | Un | |||
Courant de surtension de crête répétitive(simple) | IFRM | 10 | Un | ||
Courant de surtension de crête Nonrepetitive(simple) | T=8.3ms | IFSM | 120 | Un | |
Avalanche l'énergie(simple) | L=1 mH | La fonction EAS | 15 | MJ | |
Température de jonction | Tj | -55~150 | ºC | ||
La température de stockage | Tstg | -55~150 | ºC |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de paquet | Nom de marque | Compatible RoHS | Paquet | Quantité |
MBR10150CT | D-252 | MBR10150CT | Pb-libre | Braid | 3000/boîte |
MBR10150CT | D-220 | MBR10150CT | Pb-libre | Le tube | 1000/boîte |
MBRF10150CT | D'-220F | MBR10150CT | Pb-libre | Le tube | 1000/boîte |
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