• 10A 150V de diodes Schottky10150MBR CT à-252b
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10A 150V de diodes Schottky10150MBR CT à-252b

tension: 150 v.
actuel: 10 a.
technologie de fabrication: périphérique discret
type: semi-conducteur de type n.
matériau: silicium
package: to-252b

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Info de Base.

N° de Modèle.
MBR10150CT
application
alimentation de commutation
modèle
mbr10150ct
numéro de lot
2021
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tape & Reel
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

10A 150V Schottky Barrier Diode Mbr10150CT to-252b10A 150V Schottky Barrier Diode Mbr10150CT to-252b10A 150V Schottky Barrier Diode Mbr10150CT to-252b10A 150V Schottky Barrier Diode Mbr10150CT to-252b
Fonctionnalités
Haute température de jonction capabiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement à haute fréquence
Spécification d'avalanche
Les applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation de puissance
A usage général
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
 
Pic de tension inverse répétitif VRRM 150 V
Tension inverse RMS VR(RMS) 120 V
DC Tension de blocage VR 150 V
La moyenne corrigée courant de marche avant(simple) TC=120ºC
 
Si(AV) 5 Un
La moyenne corrigée(double) Courant de marche avant 10 Un
Courant de surtension de crête répétitive(simple) IFRM 10 Un
Courant de surtension de crête Nonrepetitive(simple) T=8.3ms IFSM 120 Un
Avalanche l'énergie(simple) L=1 mH La fonction EAS 15 MJ
Température de jonction Tj -55~150 ºC
La température de stockage Tstg -55~150 ºC
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque Compatible RoHS Paquet Quantité
MBR10150CT D-252 MBR10150CT Pb-libre Braid 3000/boîte
MBR10150CT D-220 MBR10150CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
MBRF10150CT D'-220F MBR10150CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
 10A 150V Schottky Barrier Diode Mbr10150CT to-252b

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07