Diode barrière Schottky 10 a 200 V Mbr10200CT to-220

• tension: 200 v.
• actuel: 10 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: silicium
• package: to-220
• N° de Modèle.: MBR10200CT
• application: alimentation de commutation
• modèle: mbr10200ct
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Fonctionnalités

Température de jonction élevée en capsiliy

Faible courant de fuite

Faible résistance thermique

Fonctionnement haute fréquence

Spécifications d'avalanche

Applications

Alimentation de commutation

Circuits de commutation d'alimentation

Usage général

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR	UNITÉ
Tension inverse répétitive de crête			VRM	200	V
Tension inverse RMS			VR (RMS)	160	V
Tension de blocage c.c.			VR	200	V
Courant de marche avant rectifié moyen (simple)		TC=120ºC	IF (AV)	5	A
Courant de marche avant rectifié moyen (double)				10	A
Courant de crête répétitif (simple)			IFRM	10	A
Courant de crête non répétitif (simple)		t=8,3 ms.	IFSM	120	A
Avalanche énergie (simple)		L=1 mH	EAS	15	MJ
Température de jonction			TJ	-55 à 150	ºC
Température de stockage			Tstg	-55 à 150	ºC

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
MBR10200CT	TO-252	MBR10200CT	Sans PB	Tresse	3000/boîte
MBR10200CT	TO-220	MBR10200CT	Sans PB	Tube	1000/boîte
MBRF10200CT	TO-220F	MBRF10200CT	Sans PB	Tube	1000/boîte