MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: sic
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-247-4
• Demande: inverseurs solaires
• Modèle: dhc2m016120q
• N° de Modèle.: DHC2M016120Q
• Numéro de lot: En 2022
• Marque: wxdh
• tension: 1 200 v.
• actuel: 115a
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N
1 Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. C'est le cas
conçu pour les applications haute fréquence où haute
efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires. Il est qualifié
Et fabriqués sur la ligne productive SIC 6 pouces
Chine entièrement détenue par Donghai Semiconducteur.
 

Fonctionnalités

Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'activation

Commutation haute vitesse avec faible capacité

Facile à utiliser en parallèle et simple à conduire

Applications

Alimentations

Convertisseurs DC/DC haute tension

Entraînements de moteur

Alimentations à découpage

Applications à puissance pulsée

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension source-Drian			VDSS	1200		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-10/+25		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-5/+20		V
Courant de vidange continu			ID TC=25ºC	115		A
			TC=100 ºC	85		A
Courant de vidange pulsé			IDM	À DÉTERMINER		A
Dissipation de puissance		TJ=150ºC	Ptot	À DÉTERMINER		W
		TC=25 ºC	Ptot			W
Plage de température de jonction			TJ	-40 à 175		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-40 à 175		ºC

 
4.2 caractéristiques thermiques

Paramètre	Symbole	Classement	Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier	RthJC	0.28	ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DHC2M016120Q	TO-247-4	DHC2M016120Q	Sans PB	Tube	300/boîte