• MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263
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MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

Manufacturing Technology: Dispositif Discret
Matériel: semi-conducteur à oxyde métallique
Type: Semi-Conducteur de Type N
Paquet: to-263
Demande: commutation de puissance, convertisseurs, contrôle de pont complet
Modèle: dte043n04na

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Info de Base.

N° de Modèle.
DTE043N04NA
Numéro de lot
2021
Marque
wxdh
tension
40 v.
actuel
120 a.
Paquet de Transport
Tape & Reel
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dte043n04na to-263120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dte043n04na to-263120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dte043n04na to-263120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dte043n04na to-263
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Tension source-Drian VDSS 40 V
Tension porte-à-source VGSS ±20 V
Courant de vidange (continu) ID(T=25 ºC) 120 A
(T=100 ºC) 85 A
Courant de vidange (pulsé) IDM 480 A
Énergie d'avalanche à impulsion unique EAS 400 MJ
Dissipation totale Ta = 25 ºC Ptot 2.3 W
TC=25 ºC Ptot 163 W
Température de jonction TJ -55 à 175 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 175 ºC
 
Fonctionnalités
Qualification AEC Q101
Commutation rapide
Faible RÉSISTANCE
Faible charge de grille
Capacité de transfert inverse faible
Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %
Applications
Applications de commutation d'alimentation
Système de gestion de l'onduleur
Outils électriques
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
DTE043N04NA
TO-263
DTE043N04NA Sans PB TUYAU 15000/boîte
 120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dte043n04na to-263

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07