12A 600V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance F12N60 à-220f

• tension: 600 v.
• actuel: 12 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220f
• N° de Modèle.: F12N60
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: f12n60
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Le paramètre		Symbole	Valeur		Unité
			12N60/I12N60/ E12N60	F12N60
Un maximum de tension DC Drian-Source		VDS	600		V
Tension Gate-Drain maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange(continu)		ID(T=25ºC)	12		Un
		(T=100ºC)	7.5		Un
Courant de vidange(pulsée)		Le module IDM	48		Un
L'énergie d'avalanche d'Impulsion unique		La fonction EAS	720		MJ
Diode de crête dv/dt de récupération		Dv/dt	5		V/ns
La dissipation totale	Ta=25ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC	Ptot	150	42	W
Température de jonction		Tj	150		ºC
La température de stockage		Tstg	-55~150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible résistance(Rdson≤0,75 Ω)

Faible charge de grille(Typ : 40nC)

De faibles capacités de transfert de marche arrière(Typ : 10pF)

100% Test de l'énergie d'avalanche d'Impulsion unique

100% test ΔVDS

Les applications

Utilisés dans divers pour le système du circuit de commutation de puissance
La miniaturisation et une plus grande efficacité.

Le circuit du contacteur d'alimentation de l'adaptateur et chargeur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de paquet	Nom de marque	Compatible RoHS	Paquet	Quantité
12N60	D-220C	12N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
F12N60	D'-220F	F12N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
I12N60	D-262	I12N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
E12N60	D-263	E12N60	Pb-libre	Tape & rabatteur	800/boîte