150A 150V N-Canal MOSFET de puissance en mode d′amélioration de la DHS042N15

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Silicon
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-220
• Demande: Switching Mode Power Supplies
• Modèle: Dhs042n15
• N° de Modèle.: DHS042N15
• Numéro de lot: 2023
• Marque: Wxdh
• tension: 150 v.
• actuel: 150 a.
• Paquet de Transport: Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 8A 650V SchottkyBarrierDiode SIC
1 La description
Famille de produits de la série de SIC offre des performances de pointe. Il est conçu pour une haute
La fréquence des applications où une grande efficacité et une fiabilité élevée sont requis.

 

Fonctionnalités

Faible résistance

Faible charge de grille

Commutation rapide

De faibles capacités de transfert de marche arrière

100% test de l'énergie d'avalanche d'impulsion unique

100% test ΔVDS

Les applications

Commande de moteur et entraînement

Gestion de la batterie

UPS (Uninterrupible alimentations)

 Marquage de l'information &l'emballage

N° de pièce	Paquet	Le marquage	Tube/le rabatteur	Qté(PC)
Le DHS042N15	D-220	Le DHS042N15	Le tube	1000/boîte

 

Le paramètre			Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange			VDS	150	V
Tension Gate-Source			VGS	±20	V
Courant de vidange en continu		TC = 25 °C	ID	150	Un
		TC = 100 °C		106	Un
Vidange d'impulsion de courant (TC = 25°C, tp limité par Tjmax)			Le module IDM	600	Un
Avalanche d'énergie, single pulse (L=0.5mH, RG=25)			La fonction EAS	1406	MJ
La dissipation de puissance (TC = 25°C)			Ptot	3	W
Jonction d'exploitation et de la température de stockage			Tj , T stg	-55~175	ºC