MOSFET de puissance 150 a 150 V à canal N et mode d′amélioration Dhs042n15e to-263

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Silicon
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-220
• Demande: Switching Mode Power Supplies
• Modèle: Dhs042n15e
• N° de Modèle.: DHS042N15E
• Numéro de lot: 2023
• Marque: Wxdh
• tension: 150 v.
• actuel: 150 a.
• Paquet de Transport: Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 DIODE DE BARRE SCHOTTKYBATRIERSIC 8A 650 V.
1 Description
La gamme de produits SIC Series offre des performances de pointe. Il est conçu pour les hautes performances
applications de fréquence nécessitant une efficacité et une fiabilité élevées.

 

Fonctionnalités

Faible résistance

Faible charge de grille

Commutation rapide

Faibles capacités de transfert en marche arrière

test d'énergie d'avalanche à impulsion unique de 100 %

Test de 100 % ΔVDS

Certifié AEC-Q101

Applications

Commande et entraînement du moteur

Gestion de la batterie

UPS (alimentations non interruptibles)

 Informations de marquage et d'emballage

N° de pièce	Package	Marquage	Tube/rabatteur	Qté(pcs)
DHS042N15E	TO-263	DHS042N15E	RABATTEUR	800/boîte

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR	UNITÉ
Tension de la source de vidange			VDS	150	V
Tension de la source de grille			VGS	±20	V
Courant de vidange continu		TC = 25 °C.	ID	150	A
		TC = 100 °C.		106	A
Courant de vidange pulsé (TC = 25 °C, tp limité par Tjmax)			IDM	600	A
Énergie d'avalanche, impulsion simple (L=0,5mH, Rg=25)			EAS	1406	MJ
Dissipation de puissance (TC = 25 °C)			Ptot	3	W
Température de stockage et de jonction de fonctionnement			TJ , T STG	-55 à 175	ºC