MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18A Dcc160m120g1 to-247-3L

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Sic
• Type: N-type Semiconductor
• Package: to-247-3L
• Application: Solar Inverters
• Model: Dcc160m120g1
• N° de Modèle.: DCC160M120G1
• Batch Number: 2022
• Brand: Wxdh
• tension: 1 200 v.
• Cirrent: 18a
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: Sic
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

MOSFET de puissance SIC à canal N 5 a 1700 V.

 

Description

Cette famille de produits offre des performances de pointe. C'est le cas

conçu pour les applications haute fréquence où haute

efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires.

 

Fonctionnalités

Efficacité du système accrue

Réduction des besoins en refroidissement

Densité de puissance accrue

Fréquence de commutation du système accrue

Applications

Alimentations

Convertisseurs DC/DC haute tension

Entraînements de moteur

Alimentations à découpage

Applications à puissance pulsée

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension source-Drian			VDSS	1200		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-10/+25		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-5/+20		V
Courant de vidange continu			VGS=20V,TC=25ºC	18		A
			VGS=20V, TC=100ºC	12		A
Courant de vidange pulsé			ID (IMPULSION)	40		A
Dissipation de puissance		TJ=150ºC	PD	125		W
		TC=25 ºC	PD			W
Plage de température de jonction			TJ	-55 à 150		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-55 à 150		ºC

 
4.2 caractéristiques thermiques

Paramètre	Symbole	Classement	Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier	RthJC	1.8	ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DCC160M120G1	TO-247-3L	DCC160M120G1	Sans PB	Tube	1800/boîte