18A 1200V Transistor Mosfet de puissance N-Channel Sic Dcc160m120g1 to-247-3L

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Application: inverseurs solaires
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Année de Création
2004-12-07
Nombre d'Employés
234
  • 18A 1200V Transistor Mosfet de puissance N-Channel Sic Dcc160m120g1 to-247-3L
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Info de Base

N° de Modèle.
DCC160M120G1
Technologie de fabrication
Dispositif discret
Matériel
sic
Modèle
dcc160m120g1
Paquet
to-247-3l
Type
Semi-conducteur de type N
tension
1200V
cirrent
18A
marque
wxdh
Paquet de Transport
tube
Spécifications
sic
Marque Déposée
wxdh
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 pièces/an

Description de Produit

18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L
MOSFET de puissance SIC à canal N 5 a 1700 V.
 
Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. C'est le cas
conçu pour les applications haute fréquence où haute
efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires.
18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L
 
Fonctionnalités
Efficacité du système accrue
Réduction des besoins en refroidissement
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Alimentations
Convertisseurs DC/DC haute tension
Entraînements de moteur
Alimentations à découpage
Applications à puissance pulsée
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
 
Tension source-Drian VDSS 1200 V
Tension porte-à-source max VGSS -10/+25 V
Tension porte-à-source max VGSS -5/+20 V
Courant de vidange continu
VGS=20V,TC=25ºC
18 A
VGS=20V, TC=100ºC
12 A
Courant de vidange pulsé ID (IMPULSION) 40 A
Dissipation de puissance TJ=150ºC PD 125 W
TC=25 ºC PD W
Plage de température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Plage de température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
4.2 caractéristiques thermiques
Paramètre Symbole Classement Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier RthJC 1.8 ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
DCC160M120G1
TO-247-3L
DCC160M120G1
Sans PB Tube 1800/boîte
 18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc160m120g1 to-247-3L

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