• MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18A Dhc1m160120d to-3p
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MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18A Dhc1m160120d to-3p

Application: inverseurs solaires
Numéro de lot: En 2022
Technologie de fabrication: Dispositif discret
Matériel: sic
Modèle: dhc1m160120d
Paquet: to-3p

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Info de Base.

N° de Modèle.
DHC1M160120D
Type
Semi-conducteur de type N
tension
1 200 v.
actuel
18a
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tube
Spécifications
Sic
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p
MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18 A.
1 Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où haute
efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires. Il est qualifié et fabriqué sur la ligne productive SIC 6 pouces en Chine
Propriété exclusive de Donghai Semiconducteur.
 18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p
Fonctionnalités
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'activation
Commutation haute vitesse avec faible capacité
Facile à utiliser en parallèle et simple à conduire
Applications
Alimentations
Convertisseurs DC/DC haute tension
Entraînements de moteur
Alimentations à découpage
Applications à puissance pulsée
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
     
Tension source-Drian VDSS 1200 V
Tension porte-à-source max VGSS -10/+25 V
Tension porte-à-source max VGSS -5/+20 V
Courant de vidange continu ID TC=25ºC 18 A
TC=100 ºC 12 A
Courant de vidange pulsé IDM 40 A
Dissipation de puissance TJ=150ºC Ptot 125 W
TC=25 ºC Ptot W
Plage de température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Plage de température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
4.2 caractéristiques thermiques
Paramètre Symbole Classement Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier RthJC 0.9 ºC/W
Résistance thermique, jonction à la température ambiante RthJA 40 ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
DHC1M160120D TO-3P DHC1M160120D Sans PB Tube 300/boîte
DHC1M160120B TO-247 DHC1M160120B Sans PB Tube 300/boîte
 18A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m160120d to-3p

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07