• 20A 100V de diodes Schottky faible Vf mbr20100CT À-220
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20A 100V de diodes Schottky faible Vf mbr20100CT À-220

Application: Diode, Switching Power Supply
Batch Number: 2021
Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Model: Mbr20100CT
Package: to-220

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Info de Base.

N° de Modèle.
MBR20100CT
Type
P-Type Semiconductor
tension
100 v.
actuel
20 a.
marque
Wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

20A 100V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-22020A 100V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-22020A 100V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-220 20A 100V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-220
Fonctionnalités
Haute température de jonction capabiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement à haute fréquence
Spécification d'avalanche
Les applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation de puissance
A usage général
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
 
Pic de tension inverse répétitif VRRM 100 V
Tension inverse RMS VR(RMS) 80 V
DC Tension de blocage VR 100 V
La moyenne corrigée courant de marche avant(simple) D'-220,tc=120ºC
D'-220F,tc=90ºC
Si(AV) 10 Un
La moyenne corrigée(double) Courant de marche avant 20 Un
Courant de surtension de crête répétitive(simple) IFRM 15 Un
Courant de surtension de crête Nonrepetitive(simple) T=8.3ms IFSM 180 Un
Avalanche l'énergie(simple) L=1 mH La fonction EAS 25 MJ
Température de jonction Tj -55~175 ºC
La température de stockage Tstg -55~175 ºC
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque Compatible RoHS Paquet Quantité
MBR20R100CT D-220 MBR20R100CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
MBRF20R100CT D'-220F MBRF20R100CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
 20A 100V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-220

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07