• Diode barrière Schottky 20 a 100 V Mbr20100CT to-220
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Diode barrière Schottky 20 a 100 V Mbr20100CT to-220

tension: 100 v.
actuel: 20 a.
technologie de fabrication: périphérique discret
type: semi-conducteur de type n.
matériau: silicium
package: to-220

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Info de Base.

N° de Modèle.
MBR20100CT
application
alimentation de commutation
modèle
mbr20100ct
numéro de lot
2021
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

20A 100V Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-22020A 100V Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-22020A 100V Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-22020A 100V Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-220
Fonctionnalités
Température de jonction élevée en capsiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement haute fréquence
Spécifications d'avalanche
Applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation d'alimentation
Usage général
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
 
Tension inverse répétitive de crête VRM 100 V
Tension inverse RMS VR (RMS) 80 V
Tension de blocage c.c. VR 100 V
Courant de marche avant rectifié moyen (simple) TC=120ºC IF (AV) 20 A
Courant de crête répétitif (simple) IFRM 30 A
Courant de crête non répétitif (simple) t=8,3 ms. IFSM 200 A
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
MBR20100PC TO-220 MBR20100PC Sans PB Tube 1000/boîte
MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT Sans PB Tube 1000/boîte
 20A 100V Schottky Barrier Diode Mbr20100CT to-220

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07