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20A 150V faible barrière Schottky Diode mbr20R150CT À-220

Application: Diode, alimentation de commutation
Numéro de lot: 2021
Technologie de fabrication: Discrete Device
Matériel: silicium
Modèle: mbr20r150ct
Paquet: to-220

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Info de Base.

N° de Modèle.
MBR20R150CT
Type
P-Type Semiconductor
tension
150 v.
actuel
20 a.
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

20A 150V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r150CT to-22020A 150V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r150CT to-22020A 150V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r150CT to-220 20A 150V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r150CT to-220
Symbole Cote
VBR (V) Min 150 Typ 175
IR(uA)25ºC Max. 50
VF (V) de 25ºC Typ. 0,77 Max 0.80
Si(A) Paquet à puce unique 10.0
Si(A) de la puce double emballage 20.0
 
Fonctionnalités
Haute température de jonction capabiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement à haute fréquence
Spécification d'avalanche
Les applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation de puissance
A usage général
  
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque Compatible RoHS Paquet Quantité
MBR20R150CT D-220 MBR20R150CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
MBRF20R150CT D'-220F MBRF20R150CT Pb-libre Le tube 1000/boîte
 20A 150V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r150CT to-220

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07