tension: | 200 v. |
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actuel: | 20 a. |
technologie de fabrication: | périphérique discret |
type: | semi-conducteur de type n. |
matériau: | silicium |
package: | to-220 |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Fonctionnalités |
Température de jonction élevée en capsiliy |
Faible courant de fuite |
Faible résistance thermique |
Fonctionnement haute fréquence |
Spécifications d'avalanche |
Applications |
Alimentation de commutation |
Circuits de commutation d'alimentation |
Usage général |
PARAMÈTRE | SYMBOLE | VALEUR | UNITÉ | ||
Tension inverse répétitive de crête | VRM | 200 | V | ||
Tension inverse RMS | VR (RMS) | 160 | V | ||
Tension de blocage c.c. | VR | 200 | V | ||
Courant de marche avant rectifié moyen (simple) | TO-220F, TC=90ºC | IF (AV) | 10 | A | |
Courant de marche avant rectifié moyen (double) | TO-220/263/252/251,TC=120ºC | IF (AV) | 20 | A | |
Courant de crête répétitif (simple) | IFRM | 15 | A | ||
Courant de crête non répétitif (simple) | t=8,3 ms. | IFSM | 150 | A | |
Température de jonction | TJ | -55 à 150 | ºC | ||
Température de stockage | Tstg | -55 à 150 | ºC |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de package | Nom du repère | RoHS | Package | Quantité |
MBRD20200CT | TO-252 | MBRD20200CT | Sans PB | Tresse | 3000/disque |
MBR20200CT | TO-220 | MBR20200CT | Sans PB | Tube | 1000/boîte |
MBRF20200CT | TO-220F | MBRF20200CT | Sans PB | Tube | 1000/boîte |
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