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Diode barrière Schottky basse 20 a 80 V Mbr20r80CT to-220

Application: Diode, alimentation de commutation
Numéro de lot: 2021
Technologie de fabrication: Discrete Device
Matériel: silicium
Modèle: mbr20r80ct
Paquet: to-220

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Info de Base.

N° de Modèle.
MBR20R80CT
Type
P-Type Semiconductor
tension
80 v.
actuel
20 a.
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

20A 80V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r80CT to-22020A 80V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r80CT to-22020A 80V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r80CT to-220 20A 80V Low Schottky Barrier Diode Mbr20r80CT to-220
SYMBOLE CLASSEMENT
VBR (V) 80 min type 90
IR(UA)25ºC 100 max
VF (V) 25 ºC type 0.58 0.7 max
IF(A) boîtier monopuce 10.0
IF(A) boîtier à double puce 20.0
 
Fonctionnalités
Température de jonction élevée en capsiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement haute fréquence
Spécifications d'avalanche
Applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation d'alimentation
Usage général
  
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
MBR20R80CT TO-220 MBR20R80CT Sans PB Tube 1000/boîte
MBRF20R80CT TO-220F MBRF20R80CT Sans PB Tube 1000/boîte
 

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07