MOSFET de puissance 252 a 30V mode d′amélioration canal N DHD20n03 to-25

• tension: 30 v.
• actuel: 25 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-252
• N° de Modèle.: DHD20N03
• application: applications de commutation d′alimentation
• modèle: dhd20n03
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tape & Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			DHB20N03/DHD20N03
Tension source-Drian		VDSS	30		V
Tension porte-à-source		VGSS	±20		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	25		A
		(T=100 ºC)	16		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	60		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	49		MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	1.25		W
	TC=100 ºC	Ptot	20		W
Température de jonction		TJ	-55 à 150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Applications de commutation d'alimentation

SMPS

Commutateur de charge

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DHB20N03	TO-251	DHB20N03	Sans PB	Tube	3000/boîte
DHD20N03	TO-252	DHD20N03	Sans PB	Ruban et bobine	2500/boîte