MOSFET de puissance mode d′amélioration canal N 650 V 2A B2n65 to-251

• tension: 650 v.
• actuel: 2a
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-251b
• N° de Modèle.: B2N65
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: b2n65
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			2N65/I2N65/E2N65/B2N65/D2N65	F2N65
Tension source-Drian		VDS	650		V
Tension de drain de grille		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	2		A
		(T=100 ºC)	1.26		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	8		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	64		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	35	20	W
Température de jonction		TJ	150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE (Rdson≤5Ω)

Charge de grille faible (type : 9 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 6 pF)

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure.

Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
2N65	TO-220C	2N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
F2N65	TO-220F	F2N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
B2N65	TO-251	B2N65	Sans PB	Tube	3000/boîte
D2N65	TO-252	D2N65	Sans PB	Ruban et bobine	2500/boîte
I2N65	TO-262	I2N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
E20960	TO-263	E20960	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte