MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

• tension: 60 v.
• actuel: 30 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-252
• N° de Modèle.: DHD30N06
• application: applications de commutation d′alimentation
• modèle: dhd30n06
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tape & Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			DHB30N06/DHD30N06
Tension source-Drian		VDSS	60		V
Tension porte-à-source		VGSS	±20		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	30		A
		(T=100 ºC)	20		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	90		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	4		MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	1.25		W
	TC=100 ºC	Ptot	50		W
Température de jonction		TJ	-55 à 175		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 175		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Applications de commutation d'alimentation

Circuits haute fréquence et commutés

Outils électriques

Électronique automobile

Alimentation sans coupure.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DHB30N06	TO-251	DHB30N06	Sans PB	Ruban et bobine	3000/boîte
DHD30N06	TO-251	DHD30N06	Sans PB	Tube	2500/boîte