Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 30 a 650 V Dgn30f65m2 to-3pn

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Silicon
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-3pn
• Demande: Welding, UPS
• Modèle: Dgn30f65m2
• N° de Modèle.: DGN30F65M2
• Numéro de lot: 2023
• Marque: Wxdh
• tension: 1 200 v.
• actuel: 40 a.
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	CLASSEMENT		UNITÉ
Tension d'émetteur du collecteur		VCES	650		V
Porte - tension d'émetteur		VGES	±30		V
Courant collecteur		IC (T=25 ºC)	60		A
Courant collecteur		(TC=100 ºC)	30		A
Courant collecteur pulsé		ICM	180		A
Diode de courant continu		SI  @TC = 100 °C.	20		A
Diode de courant pulsé		IFM	120		A
Dissipation totale	TC=25 ºC	Ptot	230		W
	TC=100 ºC	Ptot	115		W
Température de jonction		TJ	-45 à 175		ºC
Température de stockage		Tstg	-45 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Technologie de tranchée FS, température positive

coefficient

Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 1,9 V.

@ IC =30A et TJ = 25 °C.

Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

Applications

Soudage

Inverseur à trois niveaux

UPS

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DGN30F65M2	TO-3PN	DGN30F65M2	Sans PB	TUYAU	1000/boîte