Module IGBT demi-pont 75 a 1 200 V 34 mm

• Manufacturing Technology: Trench and Fieldstop Technology Design
• Matériel: Semi-Conducteur Composé
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: 34mm
• Demande: Welding, UPS, Three-Leve Inverter
• Modèle: Dga75h100m2t
• N° de Modèle.: DGA75H120M2T
• Numéro de lot: 2023
• Marque: Wxdh
• tension: 1 200 v.
• actuel: 75 a.
• Paquet de Transport: Box
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 
1 Description
Ces transistors bipolaires à grille isolée ont utilisé des tranchées et
Conception de la technologie Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente commutation
vitesse, faible charge de porte. Conforme à la norme RoHS.

Fonctionnalités

Technologie de tranchée FS, température positive
coefficient

Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 2,0 V.
@ IC =75A et TJ = 25 °C.

Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

Applications

Soudage

UPS

Inverseur à trois niveaux

Convertisseurs c.a./c.c.

Amplificateur de servocommande c.a./c.c.

 

Type	VCE	CI	VCEsat, TJ=25 ºC	Tjop	Package
DGA75H120M2T	1 200 V.	75 a (TJ=100 ºC)	2,0 V (type)	175ºC	34MM

Caractéristiques électriques
5,1 valeurs nominales maximales en Absolute (IGBT) (TC=25ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension collecteur-émetteur			VCE	1200		V
Tension porte-émetteur			VGE	±30		V
Courant collecteur c.c.			IC  TJ=25 ºC	150		A
			TJ=100 ºC	75		A
Courant collecteur pulsé n° 1			ICM	300		A

 

5.2 valeurs nominales maximales absolues (diode) (TC=25 ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension inverse répétitive de crête			VRM	1200		V
Tension de blocage c.c.			VR	1200		V
Courant de marche avant rectifié moyen			IF (AV)	75		A
Courant de crête répétitif			IFRM	150		A
Courant de pointe non répétitif (simple) /tp=1,0 ms.			IFSM	600		A

5.53module IGBT

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Plage de température de jonction			Tjmax	-45 à 175		ºC
Température de jonction de fonctionnement			Tjop	-45 à 150		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-45 à 150		ºC
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t=1min			VISO	4000		A

5.4caractéristiques thermiques (module IGBT)

PARAMÈTRE						SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Résistance thermique jonction au boîtier						IGBT RthJC	0.28		ºC/W
						Diode RthJC	0.40		ºC/W