MOSFET de puissance SIC canal N 1 200 V 36A Dhc1m080120W to-247

• Personnalisation: Disponible
• tension: 1200V
• actuel: 36A
• N° de Modèle.: DHC1M080120W
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: sic
• package: to-247
• application: inverseurs solaires
• modèle: dhc1m080120w
• numéro de lot: 2022
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: tube
• Marque Déposée: wxdh
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 pièces/an

Description de Produit

 MOSFET de puissance SIC canal N 36A 1 200 V.
1 Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. C'est le cas
conçu pour les applications haute fréquence où haute
efficacité et fiabilité élevées sont nécessaires. Il est qualifié
Et fabriqués sur la ligne productive SIC 6 pouces
Chine entièrement détenue par Donghai Semiconducteur.
 

Fonctionnalités

Efficacité du système accrue

Réduction des besoins en refroidissement

Densité de puissance accrue

Fréquence de commutation du système accrue

Applications

Alimentations

Convertisseurs DC/DC haute tension

Entraînements de moteur

Alimentations à découpage

Applications à puissance pulsée

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension source-Drian			VDSS	1200		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-10/+25		V
Tension porte-à-source max			VGSS	-5/+20		V
Courant de vidange continu			ID TC=25ºC	36		A
			TC=100 ºC	24		A
Courant de vidange pulsé			IDM	80		A
Dissipation de puissance		TJ=150ºC	Ptot	192		W
		TC=25 ºC	Ptot			W
Plage de température de jonction			TJ	-55 à 150		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-55 à 150		ºC

 
4.2 caractéristiques thermiques

Paramètre	Symbole	Classement	Unitº
Résistance thermique, jonction au boîtier	RthJC	0.6	ºC/W
Résistance thermique, jonction à la température ambiante	RthJA	40	ºC/W

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DHC1M080120N	TO-3PN	DHC1M080120N	Sans PB	Tube	300/boîte
DHC1M080120W	TO-247	DHC1M080120W	Sans PB	Tube	300/boîte