MOSFET de puissance F3n80 to-220f à mode d′amélioration de canal N 800 V 3 A.

• tension: 800 v.
• actuel: 3 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220f
• N° de Modèle.: F3N80
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: f3n80
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			3N80/I3N80/ E3N80/B3N80/D3N80	F3N80
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	800		V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	3		A
		(T=100 ºC)	1.9		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	12		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	120		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	75	30	W
Température de jonction		TJ	150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour le système
Miniaturisation et efficacité supérieure.

Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
3N80	TO-220C	3N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
F3N80	TO-220F	F3N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
B3N80	TO-251	B3N80	Sans PB	Tube	3000/boîte
D3N80	TO-252	D3N80	Sans PB	Ruban et bobine	2500/boîte
I3N80	TO-262	I3N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
E3N80	TO-263	E3N80	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte