40A 100V Diode à barrière Schottky Mbr40100CT to-220

Détails du Produit
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tension: 100V
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Année de Création
2004-12-07
Nombre d'Employés
234
  • 40A 100V Diode à barrière Schottky Mbr40100CT to-220
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Info de Base

N° de Modèle.
MBR40100CT
technologie de fabrication
périphérique discret
type
semi-conducteur de type n.
matériau
silicium
package
to-220
application
alimentation de commutation
modèle
mbr40100ct
numéro de lot
2021
marque
wxdh
Paquet de Transport
tube
Marque Déposée
wxdh
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 pièces/an

Description de Produit

40A 100V Schottky Barrier Diode Mbr40100CT to-22040A 100V Schottky Barrier Diode Mbr40100CT to-22040A 100V Schottky Barrier Diode Mbr40100CT to-22040A 100V Schottky Barrier Diode Mbr40100CT to-220
Fonctionnalités
Température de jonction élevée en capsiliy
Faible courant de fuite
Faible résistance thermique
Fonctionnement haute fréquence
Spécifications d'avalanche
Applications
Alimentation de commutation
Circuits de commutation d'alimentation
Usage général
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
 
Tension inverse répétitive de crête VRM 100 V
Tension inverse RMS VR (RMS) 80 V
Tension de blocage c.c. VR 100 V
Courant de marche avant rectifié moyen (simple) TC=120ºC IF (AV) 20 A
Courant de marche avant rectifié moyen (double) TC=120ºC IF (AV) 40 A
Courant de crête répétitif (simple) IFRM 30 A
Courant de crête non répétitif (simple) t=8,3 ms. IFSM 250 A
Avalanche énergie (simple) L=1 mH EAS 75 MJ
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
MBR40100CT TO-3P MBR40100CT Sans PB Tube 300/disque
MBR40100BCT TO-247 MBR40100BCT Sans PB Tube 300/boîte
MBR40100CT TO-220 MBR40100CT Sans PB Tube 1000/boîte
 40A 100V Schottky Barrier Diode Mbr40100CT to-220

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