Manufacturing Technology: | Dispositif Discret |
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Matériel: | Silicon |
Type: | Semi-Conducteur de Type N |
Paquet: | to-264 |
Demande: | Welding Machine, UPS |
Modèle: | G50n120d |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
PARAMÈTRE | SYMBOLE | CLASSEMENT | UNITÉ | ||
Tension d'émetteur du collecteur | VCES | 1200 | V | ||
Porte - tension d'émetteur | VGES | ±20 | V | ||
Courant collecteur | IC (T=25 ºC) | 100 | A | ||
Courant collecteur | (TC=100 ºC) | 50 | A | ||
Courant collecteur pulsé | ICM | 200 | A | ||
Diode de courant continu | SI @TC = 100 °C. | 25 | A | ||
Courant de marche avant maximal de diode | IFM | 100 | A | ||
Dissipation totale | TC=25 ºC | Ptot | 460 | W | |
TC=100 ºC | Ptot | 230 | W | ||
Température de jonction | TJ | -55 à 150 | ºC | ||
Température de stockage | Tstg | -55 à 150 | ºC |
Fonctionnalités |
VCEsat faible |
Faible charge de grille |
Excellente vitesse de commutation |
Possibilité de mise en parallèle facile grâce à la fonction positive Coefficient de température en VCEsat |
TSC ≥ 10 μs |
Diode anti-parallèle à courant total à récupération rapide |
Applications |
Soudage |
UPS |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de package | Nom du repère | RoHS | Package | Quantité |
G50N120D | TO-264 | G50N120D | Sans PB | Tube | 300/boîte |
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