• Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT
  • Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT
  • Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT
  • Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT
  • Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT
  • Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Manufacturing Technology: Dispositif Discret
Matériel: Silicon
Type: Semi-Conducteur de Type N
Paquet: to-264
Demande: Welding Machine, UPS
Modèle: G50n120d

Contacter le Fournisseur

Membre Diamant Depuis 2021

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fabricant/Usine & Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
G50N120D
Numéro de lot
2022
Marque
Wxdh
tension
1 200 v.
actuel
50 a.
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT
PARAMÈTRE SYMBOLE CLASSEMENT UNITÉ
 
Tension d'émetteur du collecteur VCES 1200 V
Porte - tension d'émetteur VGES ±20 V
Courant collecteur IC (T=25 ºC) 100 A
Courant collecteur   (TC=100 ºC) 50 A
Courant collecteur pulsé ICM 200 A
Diode de courant continu SI  @TC = 100 °C. 25 A
Courant de marche avant maximal de diode IFM 100 A
Dissipation totale TC=25 ºC Ptot 460 W
TC=100 ºC Ptot 230 W
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
VCEsat faible
Faible charge de grille
Excellente vitesse de commutation
Possibilité de mise en parallèle facile grâce à la fonction positive
Coefficient de température en VCEsat
TSC ≥ 10 μs
Diode anti-parallèle à courant total à récupération rapide
Applications
Soudage
UPS
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
G50N120D TO-264 G50N120D Sans PB Tube 300/boîte
 50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT

Envoyez votre demande directement à ce fournisseur

*De:
*A:
*Message:

Entrez entre 20 à 4000 caractères.

Ce n'est pas ce que vous recherchez? Publier la Demande d'Achat Maintenant

Trouver des Produits Similaires par Catégorie

Page d'Accueil du Fournisseur Produits L′IGBT Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Vous Aimerez Aussi

Contacter le Fournisseur

Membre Diamant Depuis 2021

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fabricant/Usine & Société Commerciale
Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07