50A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d′enrichissement DHD50n06 to-252

Détails du Produit
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tension: 60V
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Année de Création
2004-12-07
Nombre d'Employés
234
  • 50A 60V Transistor Mosfet de puissance à canal N en mode d′enrichissement DHD50n06 to-252
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Info de Base

N° de Modèle.
DHD50N06
technologie de fabrication
périphérique discret
type
semi-conducteur de type n.
matériau
semi-conducteur à oxyde métallique
package
to-252
application
applications de commutation d′alimentation
modèle
dhd50n06
numéro de lot
2021
marque
wxdh
Paquet de Transport
ruban et bobine
Marque Déposée
wxdh
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 pièces/an

Description de Produit

50A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DHD50n06 to-25250A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DHD50n06 to-25250A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DHD50n06 to-25250A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DHD50n06 to-252
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Le DHD50N06
Drian-à-source de tension VDSS 60 V
Porte-à-source de tension VGSS ±20 V
Courant de vidange(continu) ID(T=25ºC) 50 Un
(T=100ºC) 35 Un
Courant de vidange(pulsée) Le module IDM 200 Un
L'énergie d'avalanche d'Impulsion unique La fonction EAS 506 MJ
La dissipation totale Ta=25ºC Ptot 2 W
Tc=100ºC Ptot 120 W
Température de jonction Tj -55~175 ºC
La température de stockage Tstg -55~175 ºC
 
Fonctionnalités
Commutation rapide
Faible résistance
Faible charge de grille
De faibles capacités de transfert de marche arrière
100% Test de l'énergie d'avalanche d'Impulsion unique
100% test ΔVDS
Les applications
Circuit de gestion d'alimentation de batterie
Convertisseurs DC-DC
Alimentation UPS
Interrupteur de charge
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque Compatible RoHS Paquet Quantité
Le DHD50N06 D-252 Le DHD20N03 Pb-libre Tape & rabatteur 2500/boîte
 50A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DHD50n06 to-252

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