MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-252b
• Demande: Power Switching Applications
• Modèle: D5n50
• N° de Modèle.: D5N50
• Numéro de lot: 2021
• Marque: Wxdh
• tension: 500 v.
• actuel: 5 a.
• Paquet de Transport: Tape & Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE		VALEUR		UNITÉ
Tension source-Drian		VDSS	500			V
Tension entre la grille et le Drian		VGSS	±30			V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	5			A
		(T=100 ºC)	3.1			A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	20			A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	245			MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	0.6			W
	TC=25 ºC	Ptot	75			W
Température de jonction		TJ	-55 à 150			ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150			ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Capacité améliorée ESD

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour le système
miniaturisation et efficacité supérieure.

Circuit de commutation d'alimentation du ballast à électrons et de l'adaptateur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
D5N50	TO-252B	D5N50	Sans PB	RABATTEUR	5000/boîte