MOSFET de puissance 12n60 to-220 600 V 12 a à canal N amélioré

• tension: 600 v.
• actuel: 12 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220
• N° de Modèle.: 12N60
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: 12n60
• numéro de lot: 2021
• marque: Wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			12N60/I12N60/E12N60	F12N60
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	600		V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	12		A
		(T=100 ºC)	7.5		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	48		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	720		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	150	42	W
Température de jonction		TJ	150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE (Rdson≤0,75 Ω)

Charge de grille faible (type : 40 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 10 pF)

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour le système
Miniaturisation et efficacité supérieure.

Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
12N60	TO-220C	12N60	Sans PB	Tube	1000/boîte
F12N60	TO-220F	F12N60	Sans PB	Tube	1000/boîte
I12N60	TO-262	I12N60	Sans PB	Tube	1000/boîte
E12N60	TO-263	E12N60	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte