Diode barrière Schottky 100 V 60 a Mbr60100CT to-220

• tension: 100 v.
• actuel: 60a
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: silicium
• package: to-220
• N° de Modèle.: MBR60100CT
• application: alimentation de commutation
• modèle: mbr60100ct
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541100000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Fonctionnalités

Température de jonction élevée en capsiliy

Faible courant de fuite

Faible résistance thermique

Fonctionnement haute fréquence

Spécifications d'avalanche

Applications

Alimentation de commutation

Circuits de commutation d'alimentation

Usage général

 

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR	UNITÉ
Tension inverse répétitive de crête			VRM	100	V
Tension inverse RMS			VR (RMS)	80	V
Tension de blocage c.c.			VR	100	V
Courant de marche avant rectifié moyen (simple)		TC=120ºC	IF (AV)	30	A
Courant de marche avant rectifié moyen (double)		TC=120ºC	IF (AV)	60	A
Courant de crête répétitif (simple)			IFRM	40	A
Courant de crête non répétitif (simple)		t=8,3 ms.	IFSM	350	A
Avalanche énergie (simple)		L=1 mH	EAS	100	MJ
Température de jonction			TJ	-55 à 150	ºC
Température de stockage			Tstg	-55 à 150	ºC

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
MBR60100CT	TO-3P	MBR60100CT	Sans PB	Tube	300/boîte
MBR60100BCT	TO-247	MBR60100BCT	Sans PB	Tube	300/boîte
MBR60100NCT	TO-3P	MBR60100NCT	Sans PB	Tube	300/boîte
MBR60100CT	TO-220	MBR60100CT	Sans PB	Tube	1000/boîte