Module IGBT 62mm Dgb800h120L2t

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: Module
• Demande: Welding, UPS, Three-Leve Inverter
• Modèle: Dgb800h120L2t
• N° de Modèle.: DGB800H120L2T
• Numéro de lot: 2022
• Marque: Wxdh
• tension: 1 200 v.
• taille: 62mm
• Paquet de Transport: 62mm
• Spécifications: 62mm
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 
1 Description

Ces transistors bipolaires à grille isolée ont utilisé des tranchées et

Conception de la technologie Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente commutation

vitesse, faible charge de porte. Conforme à la norme RoHS.

Fonctionnalités

Technologie de tranchée FS, température positive
coefficient

Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 2,25 V.
@ IC =75A et TJ = 25 °C.

Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

Applications

Soudage

UPS

Inverseur à trois niveaux

Amplificateur de servocommande c.a./c.c.

 

Type	VCE	CI	VCEsat, TJ=25 ºC	Tjop	Package
DGB600H120L2T	1 200 V.	800 a (TJ=100 ºC)	1,7 V (type)	175ºC	62MM

Caractéristiques électriques
5,1 valeurs nominales maximales en Absolute (IGBT) (TC=25ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension collecteur-émetteur			VCE	1200		V
Tension porte-émetteur			VGE	±20		V
Courant collecteur c.c.			IC  TJ=100ºC	800		A
Courant collecteur pulsé n° 1			ICM	1600		A

 

5.2 valeurs nominales maximales absolues (diode) (TC=25 ºC, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Tension inverse répétitive de crête			VRM	1200		V
Tension de blocage c.c.			VR	1200		V
Courant de marche avant rectifié moyen			IF (AV)	800		A
Courant de crête répétitif			IFRM	1600		A

5.53module IGBT

PARAMÈTRE			SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Plage de température de jonction			Tjmax	-45 à 175		ºC
Température de jonction de fonctionnement			Tjop	-45 à 150		ºC
Plage de température de stockage			Tstg	-45-125		ºC
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t=1min			VISO	4000		A

5.4caractéristiques thermiques (module IGBT)

PARAMÈTRE						SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
Résistance thermique jonction au boîtier						IGBT RthJC	0.037		ºC/W
						Diode RthJC	0.045		ºC/W