• 68V/7,2mΩ /80A N-MOSFET Dtd080n07n to-252b
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68V/7,2mΩ /80A N-MOSFET Dtd080n07n to-252b

Manufacturing Technology: Dispositif Discret
Matériel: semi-conducteur à oxyde métallique
Type: Semi-Conducteur de Type N
Paquet: to-252b
Demande: commutation de puissance, convertisseurs, contrôle de pont complet
Modèle: dtd080n07n

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Info de Base.

N° de Modèle.
DTD080N07N
Numéro de lot
2021
Marque
wxdh
tension
68v
actuel
80 a.
Paquet de Transport
Tape & Reel
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

68V/7.2mΩ /80A N-Mosfet Dtd080n07n to-252b68V/7.2mΩ /80A N-Mosfet Dtd080n07n to-252b68V/7.2mΩ /80A N-Mosfet Dtd080n07n to-252b68V/7.2mΩ /80A N-Mosfet Dtd080n07n to-252b
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Tension source-Drian VDSS 68 V
Tension porte-à-source VGSS ±20 V
Courant de vidange (continu) ID(T=25 ºC) 80 A
(T=100 ºC) 51 A
Courant de vidange (pulsé) IDM 320 A
Énergie d'avalanche à impulsion unique EAS 289 MJ
Dissipation totale Ta = 25 ºC Ptot 1.7 W
TC=25 ºC Ptot 89 W
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Commutation rapide
Faible RÉSISTANCE
Faible charge de grille
Courant d'avalanche élevé
Capacité de transfert inverse faible
Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %
100 % ΔVDS Test
Applications
Applications de commutation d'alimentation
Système de gestion de l'onduleur
Outils électriques
Électronique automobile
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
DTD080N07N
TO-252B
DTD080N07N
Sans PB RABATTEUR 5000/boîte
 68V/7.2mΩ /80A N-Mosfet Dtd080n07n to-252b

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07