• MOSFET de puissance 8n60 to-220 600 V mode d′amélioration canal N 7,5A
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MOSFET de puissance 8n60 to-220 600 V mode d′amélioration canal N 7,5A

tension: 600 v.
actuel: 7,5A
technologie de fabrication: périphérique discret
type: semi-conducteur de type n.
matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
package: to-220

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Info de Base.

N° de Modèle.
8N60
application
circuit de commutation d′alimentation
modèle
8n60
numéro de lot
2021
marque
wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 8n60 to-2207.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 8n60 to-2207.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 8n60 to-2207.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 8n60 to-220
 
Description
Ces MOSFET VDMOSFET améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Conforme à la norme RoHS.
 
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 F8N60  
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation VDS 600 V
Tension de drain de grille maximale VGS ±30 V
Courant de vidange (continu) ID(T=25 ºC) 7.5 A
(T=100 ºC) 4.8 A
Courant de vidange (pulsé) IDM 30 A
Énergie d'avalanche à impulsion unique EAS 400 MJ
Récupération de diode de crête dv/dt dv/dt 5 V/ns
Dissipation totale Ta = 25 ºC Ptot 2 2 W
TC=25 ºC Ptot 100 35 W
Température de jonction TJ 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Commutation rapide
Capacité améliorée ESD
Faible RÉSISTANCE (Rdson≤1,3 Ω)
Charge de grille faible (type : 24 nC)
Faibles capacités de transfert inverse (type : 5,5 pF)
Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %
100 % ΔVDS Test
 
Applications
utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure.
Circuit de commutation d'alimentation du ballast à électrons et de l'adaptateur.
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
8N60 TO-220C 8N60 Sans PB Tube 1000/boîte
F8N60 TO-220F F8N60 Sans PB Tube 1000/boîte
B8N60 TO-251 B8N60 Sans PB Tube 3000/boîte
D8N60 TO-252 D8N60 Sans PB Ruban et bobine 2500/boîte
I8N60 TO-262 I8N60 Sans PB Tube 1000/boîte
E8N60 TO-263 E8N60 Sans PB Ruban et bobine 800/boîte
7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 8n60 to-220
 

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07