7A 600V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance 7N60 à-220

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon
• Type: N-type Semiconductor
• Package: to-220
• Application: Power Switching Circuit
• Model: 7n60
• N° de Modèle.: 7N60
• Batch Number: 2021
• Brand: Wxdh
• tension: 600 v.
• actuel: 7a
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Le paramètre		Symbole	Valeur		Unité
			7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60	F7N60
Un maximum de tension DC Drian-Source		VDS	600		V
Tension Gate-Drain maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange(continu)		ID(T=25ºC)	7		Un
		(T=100ºC)	4.4		Un
Courant de vidange(pulsée)		Le module IDM	28		Un
L'énergie d'avalanche d'Impulsion unique		La fonction EAS	400		MJ
Diode de crête dv/dt de récupération		Dv/dt	5		V/ns
La dissipation totale	Ta=25ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC	Ptot	100	35	W
Température de jonction		Tj	150		ºC
La température de stockage		Tstg	-55~150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Amélioration de la capacité ESD

Faible résistance(Rdson≤1.3Ω)

Faible charge de grille(Typ : 24nC)

De faibles capacités de transfert de marche arrière(Typ : 5.5pF)

100% Test de l'énergie d'avalanche d'Impulsion unique

100% test ΔVDS

 

Les applications

Utilisés dans divers pour le système du circuit de commutation de puissance
La miniaturisation et une plus grande efficacité.

Le circuit du contacteur d'alimentation du ballast et l'adaptateur d'électrons.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de paquet	Nom de marque	Compatible RoHS	Paquet	Quantité
7N60	D-220C	7N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
F7N60	D'-220F	F7N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
B7N60	D-251	B7N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
D7N60	D-252	D7N60	Pb-libre	Tape & rabatteur	2500/boîte
I7N60	D-262	I7N60	Pb-libre	Le tube	1000/boîte
E7N60	D-263	E7N60	Pb-libre	Tape & rabatteur	800/boîte