MOSFET de puissance mode d′amélioration canal N 7A 650 V D7n65 to-252

• tension: 650 v.
• actuel: 7a
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: silicium
• package: to-252
• N° de Modèle.: D7N65
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: d7n65
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tape & Reel
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

 

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65	F7N65
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	650		V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	7		A
		(T=100 ºC)	4.4		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	28		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	300		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	100	35	W
Température de jonction		TJ	150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Capacité améliorée ESD

Faible RÉSISTANCE (Rdson≤1,45 Ω)

Charge de grille faible (type : 24 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 5,5 pF)

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

 

Applications

utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour le système
miniaturisation et efficacité supérieure.

Circuit de commutation d'alimentation du ballast à électrons et de l'adaptateur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
7N65	TO-220C	7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
F7N65	TO-220F	F7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
B7N65	TO-251	B7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
D7N65	TO-252	D7N65	Sans PB	Ruban et bobine	2500/boîte
I7N65	TO-262	I7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
E7N65	TO-263	E7N65	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte