MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

• tension: 650 v.
• actuel: 7a
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220f
• N° de Modèle.: DHFSJ7N65
• application: alimentation
• modèle: Dhfsj7n65
• numéro de lot: 2021
• marque: Wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			DHSJ7N65/DHISJ7N65/DHESJ7N65/DHBSJ7N65/DHDSJ7N65	DHFSJ7N65
Tension source-Drian		VDSS	650		V
Tension porte-à-source		VGSS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	7		A
		(T=100 ºC)	4.5		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	21		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	162		MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	68	28	W
Température de jonction		TJ	-55 à 150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Faible perte de commutation

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Applications de commutation d'alimentation

Alimentations à découpage (SMPS).

Onduleur (UPS).

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DHSJ7N65	TO-220	DHSJ7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
DHFSJ7N65	TO-220F	DHFSJ7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
DHBSJ7N65	TO-251	DHBSJ7N65	Sans PB	Tube	3000/boîte
DHDSJ7N65	TO-252	DHDSJ7N65	Sans PB	Ruban et bobine	2500/boîte
DHISJ7N65	TO-262	DHISJ7N65	Sans PB	Tube	1000/boîte
DHESJ7N65	TO-263	DHESJ7N65	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte