• MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d′amélioration de canal N 700 V.
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MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d′amélioration de canal N 700 V.

Manufacturing Technology: Dispositif Discret
Matériel: semi-conducteur à oxyde métallique
Type: Semi-Conducteur de Type N
Paquet: to-220f
Demande: applications de commutation d′alimentation
Modèle: f7n70

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Info de Base.

N° de Modèle.
F7N70
Numéro de lot
2021
Marque
wxdh
tension
700 v.
actuel
7a
Paquet de Transport
Tape & Reel
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n70 to-220f7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n70 to-220f7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n70 to-220f7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n70 to-220f
PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
F7N70
Tension source-Drian VDSS 700 V
Tension entre la grille et le Drian VGSS ±30 V
Courant de vidange (continu) ID(T=25 ºC) 7 A
(T=100 ºC) 4.4 A
Courant de vidange (pulsé) IDM 28 A
Énergie d'avalanche à impulsion unique EAS 320 MJ
Dissipation totale Ta = 25 ºC Ptot 0.28 W
TC=25 ºC Ptot 35 W
Température de jonction TJ -55 à 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Commutation rapide
Capacité améliorée ESD
Faible RÉSISTANCE
Faible charge de grille
Capacité de transfert inverse faible
Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %
100 % ΔVDS Test
Applications
utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour le système
miniaturisation et efficacité supérieure.
Circuit de commutation d'alimentation du ballast à électrons et de l'adaptateur.
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
F7N70
TO-220F
F7N70
Sans PB Tube 1000/boîte
 7A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n70 to-220f

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07