MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d′amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-220f
• Demande: LED Power Switch Circuit,Electronic Ballast
• Modèle: F7n80
• N° de Modèle.: F7N80
• Numéro de lot: 2022
• Marque: Wxdh
• tension: 800 v.
• actuel: 7a
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			7N80/I7N80/E7N80	F7N80
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	800		V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	7		A
		(T=100 ºC)	4		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	28		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	150		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	120	48	W
Température de jonction		TJ	-55 à 150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

 

Applications

Circuit de commutateur D'alimentation LED

Ballast électronique

Alimentation ATX

Entraînement du moteur PWM à pont en H haute tension

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
7N80	TO-220C	7N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
F7N80	TO-220F	F7N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
I7N80	TO-262	I7N80	Sans PB	Tube	1000/boîte
E7N80	TO-263	E7N80	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte