tension: | 300 v. |
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actuel: | 80 a. |
technologie de fabrication: | périphérique discret |
type: | semi-conducteur de type n. |
matériau: | silicium |
package: | to-247 |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Fonctionnalités |
Faible perte de puissance, |
Tension basse à haute efficacité de l'avant, |
Capacité de courant élevé haute capacité de surtension |
Super Temps de récupération rapide |
Une tension élevée |
Les applications |
Alimentation de commutation |
Circuits de commutation de puissance |
Alimentation de l'onduleur |
Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité | ||
Pic de tension inverse répétitif | VRRM | 300 | V | ||
Tension inverse RMS | VR(RMS) | 300 | V | ||
DC Tension de blocage | VR | 300 | V | ||
La moyenne corrigée courant de marche avant(simple) | TC=135ºC | Si(AV) | 40 | Un | |
La moyenne corrigée(double) Courant de marche avant | Si(AV) | 80 | Un | ||
Courant de surtension de crête répétitive(simple) | IFRM | 50 | Un | ||
Courant de surtension de crête Nonrepetitive(simple) | T=8.3ms | IFSM | 400 | Un | |
Avalanche l'énergie(simple) | L=1 mH | La fonction EAS | 120 | MJ | |
Température de jonction | Tj | -55~150 | ºC | ||
La température de stockage | Tstg | -55~150 | ºC |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de paquet | Nom de marque | Compatible RoHS | Paquet | Quantité |
MUR80FU30DCT | D'-3P | MUR80FU30DCT | Pb-libre | Le tube | 300/boîte |
MUR80FU30NCT | D'-3PN | MUR80FU30NCT | Pb-libre | Le tube | 300/boîte |
MUR80FU30BCT | D-247 | MUR80FU30BCT | Pb-libre | Le tube | 300/boîte |
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