MOSFET de puissance mode d′amélioration de canal N 8 a 700 V Dhf8n70 to-220

• tension: 700 v.
• actuel: 8 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220f
• N° de Modèle.: DHF8N70
• application: alimentation
• modèle: dhf8n70
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			8N70/I8N70/E8N70	DHF8N70
Tension source-Drian		VDSS	700		V
Tension porte-à-source		VGSS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	8		A
		(T=100 ºC)	5.1		A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	32		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	480		MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	210	38	W
Température de jonction		TJ	-55 à 150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Faible perte de commutation

Faible RÉSISTANCE

Faible charge de grille

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour le système
miniaturisation et efficacité supérieure.

Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
8N70	TO-220	8N70	Sans PB	Tube	1000/boîte
F8N70	TO-220F	F8N70	Sans PB	Tube	1000/boîte
I8N70	TO-262	I8N70	Sans PB	Tube	1000/boîte
E8N70	TO-263	E8N70	Sans PB	Ruban et bobine	800/boîte