MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

• tension: 600 v.
• actuel: 16 a.
• technologie de fabrication: périphérique discret
• type: semi-conducteur de type n.
• matériau: semi-conducteur à oxyde métallique
• package: to-220f
• N° de Modèle.: F16N60
• application: circuit de commutation d′alimentation
• modèle: f16n60
• numéro de lot: 2021
• marque: wxdh
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			16N60	F16N60
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	600		V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±30		V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	16		A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	1000		MJ
Récupération de diode de crête dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	180	70	W
Température de jonction		TJ	150		ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150		ºC

 

Fonctionnalités

Commutation rapide

Faible RÉSISTANCE ( Rdson≤0.5Ω)

Faible charge de grille (type : 54 nC)

Capacité de transfert inverse faible

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

DEL

Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

adaptateur

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
16N60	TO-220C	16N60	Sans PB	Tube	1000/boîte
F16N60	TO-220F	F16N60	Sans PB	Tube	1000/boîte