MOSFET haute tension Dje660n80e to-263

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Metal-Oxide Semiconductor
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-263
• Demande: Power Switching Circuit
• Modèle: Dje660n80e
• N° de Modèle.: DJE660N80E
• Numéro de lot: 2022
• Marque: Wxdh
• tension: 800 v.
• actuel: 8 a.
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR	UNITÉ
Tension c.c. maximale de la source d'alimentation		VDS	800	V
Tension de drain de grille maximale		VGS	±20	V
Courant de vidange (continu)		ID(T=25 ºC)	8	A
		(T=100 ºC)	5.1	A
Courant de vidange (pulsé)		IDM	24	A
Énergie d'avalanche à impulsion unique		EAS	90	MJ
Dissipation totale	Ta = 25 ºC	Ptot	2	W
	TC=25 ºC	Ptot	78	W
Température de jonction		TJ	-55 à 150	ºC
Température de stockage		Tstg	-55 à 150	ºC

 

Fonctionnalités

FOM très faible (RDS(on) X QG )

Diode ESD intégrée

Faible résistance (Rdson≤2,3 Ω)

Faible charge de grille (type : 24 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 5,5 pF)

Essai d'énergie d'avalanche à impulsion simple de 100 %

100 % ΔVDS Test

Applications

Correction du facteur de puissance (PFC).

Alimentations à découpage (SMPS).

Onduleur (UPS).

Convertisseurs c.a./c.c.

Télécommunications

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de package	Nom du repère	RoHS	Package	Quantité
DJE660N80E	TO-263	DJE660N80E	Sans PB	RABATTEUR	800/boîte