• Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G30n60d to-247
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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G30n60d to-247

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247
Application: Inverter Welding Machine, UPS
Model: G30n60d

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Info de Base.

N° de Modèle.
G30N60D
Batch Number
2022
Brand
Wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30n60d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30n60d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30n60d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30n60d to-247
PARAMÈTRE SYMBOLE CLASSEMENT UNITÉ
 
Tension d'émetteur du collecteur VCES 600 V
Porte - tension d'émetteur VGES ±20 V
Courant collecteur IC (T=25 ºC) 60 A
Courant collecteur   (TC=100 ºC) 30 A
Courant collecteur pulsé ICM 90 A
Diode de courant continu SI  @TC = 100 °C. 20 A
Courant de marche avant maximal de diode IFM 100 A
Dissipation totale TC=25 ºC PD 250 W
TC=100 ºC PD 100 W
Température de jonction TJ 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 2,0 V.
@ IC =30A ET VGE=15V
Principalement utilisé dans les machines à souder à onduleur, adapté à une fréquence de travail < 50 kHz.
Applications
Poste de soudage à convertisseur
Inverseur solaire
UPS
Convertisseur de fréquence de commutation moyenne et élevée
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
G30N60D TO-247 G30N60D Sans PB Tube 300/boîte
 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30n60d to-247

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07