Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-247 |
Application: | Inverter Welding Machine, UPS |
Model: | G30n60d |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
PARAMÈTRE | SYMBOLE | CLASSEMENT | UNITÉ | ||
Tension d'émetteur du collecteur | VCES | 600 | V | ||
Porte - tension d'émetteur | VGES | ±20 | V | ||
Courant collecteur | IC (T=25 ºC) | 60 | A | ||
Courant collecteur | (TC=100 ºC) | 30 | A | ||
Courant collecteur pulsé | ICM | 90 | A | ||
Diode de courant continu | SI @TC = 100 °C. | 20 | A | ||
Courant de marche avant maximal de diode | IFM | 100 | A | ||
Dissipation totale | TC=25 ºC | PD | 250 | W | |
TC=100 ºC | PD | 100 | W | ||
Température de jonction | TJ | 150 | ºC | ||
Température de stockage | Tstg | -55 à 150 | ºC |
Fonctionnalités |
Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif |
Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 2,0 V. @ IC =30A ET VGE=15V |
Principalement utilisé dans les machines à souder à onduleur, adapté à une fréquence de travail < 50 kHz. |
Applications |
Poste de soudage à convertisseur |
Inverseur solaire |
UPS |
Convertisseur de fréquence de commutation moyenne et élevée |
Spécifications du produit et modèles d'emballage | |||||
Modèle de produit | Type de package | Nom du repère | RoHS | Package | Quantité |
G30N60D | TO-247 | G30N60D | Sans PB | Tube | 300/boîte |
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