• Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247
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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Manufacturing Technology: Dispositif Discret
Matériel: Silicon
Type: Semi-Conducteur de Type N
Paquet: to-247
Demande: Inverter Welding Machine, UPS
Modèle: G40n120d

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Info de Base.

N° de Modèle.
G40N120D
Numéro de lot
2021
Marque
Wxdh
Paquet de Transport
Tube
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541290000

Description de Produit

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247
PARAMÈTRE SYMBOLE CLASSEMENT UNITÉ
 
Tension d'émetteur du collecteur VCES 1200 V
Porte - tension d'émetteur VGES ±20 V
Courant collecteur IC (T=25 ºC) 80 A
Courant collecteur   (TC=100 ºC) 40 A
Courant collecteur pulsé ICM 160 A
Diode de courant continu SI  @TC = 100 °C. 20 A
Courant de marche avant maximal de diode IFM 60 A
Dissipation totale TC=25 ºC PD 278 W
TC=100 ºC PD 150 W
Température de jonction TJ 150 ºC
Température de stockage Tstg -55 à 150 ºC
 
Fonctionnalités
Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
Tension de saturation faible : VCE(sat), typ = 1,9 V.
@ IC =40A ET VGE=15V
Applications
Poste de soudage à convertisseur
Convertisseur de fréquence général
UPS
Commande du moteur
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de package Nom du repère RoHS Package Quantité
G40N120D TO-247 G40N120D Sans PB Tube 300/boîte
 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247

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Nombre d'Employés
156
Année de Création
2004-12-07