Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Silicon
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: to-3p
• Demande: Aircondition, Weldin, UPS
• Modèle: G60t65D
• N° de Modèle.: G60T65D
• Numéro de lot: 2021
• Marque: Wxdh
• tension: 650 v.
• devise: 60a
• Paquet de Transport: Tube
• Marque Déposée: WXDH
• Origine: Wuxi, China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: 500000000 Pieces/Year

Description de Produit

Le paramètre		Symbole	Cote		Unité
Tension Collector-Emitter		VCES	650		V
Gate- Tension de l'émetteur		VGES	±20		V
Courant collecteur		IC(T=25ºC)	120		Un
Courant collecteur		(Tc=100ºC)	60		Un
Courant de collecteur d'impulsion		ICM	180		Un
Courant direct continu de diode		Si  @TC = 100 °C	30		Un
Diode courant maximum de marche avant		IFM	90		Un
La dissipation totale	TC=25ºC	PD	406		W
	TC=100ºC	PD	163		W
Température de jonction		Tj	150		ºC
La température de stockage		Tstg	-55~150		ºC

 

Fonctionnalités

FS de la technologie de tranchée, coefficient de température positif

Faible tension de saturation : VCE_(sat), TYP = 1,85V
@ IC =60A et VGE=15V

Les applications

Inverter welding machine

Onduleur solaire

UPS

De taille moyenne et inverseur de fréquence de commutation élevée

 

Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit	Type de paquet	Nom de marque	Compatible RoHS	Paquet	Quantité
G60T65D	D-247	G60T65D	Pb-libre	Le tube	300/boîte